[发明专利]多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种多晶硅横向结晶方法，以及应用该结晶方法制造的多晶硅薄膜晶体管。该结晶方法步骤包含：在衬底上形成第一非晶硅层、氧化第一非晶硅层的表面以形成氧化硅层、在氧化硅层表面上形成第二非晶硅层、去除衬底上的预定区块的第二非晶硅层与氧化硅层以在衬底上形成保留区块、以及进行第一激光结晶工序，使预定区块结晶成为第一多晶硅层，使保留区块结晶成为第二多晶硅层。第二多晶硅层由保留区块的边缘开始，平行于衬底，横向往内进行结晶。

主权项

1.一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在一衬底上形成一第一非晶硅层；氧化该第一非晶硅层的表面，以形成一氧化硅层；在该氧化硅层表面上形成一第二非晶硅层；去除该衬底上的一预定区块的该第二非晶硅层与该氧化硅层，以在该衬底上形成具有该第一非晶硅层、该氧化硅层与该第二非晶硅层的一保留区块，其中该预定区块位于该保留区块的两侧；以及进行一第一激光结晶工序，使该预定区块的该第一非晶硅层结晶成为一第一多晶硅层，使该保留区块的该第一非晶硅层、该氧化硅层中的非晶硅、与该第二非晶硅层共同结晶成为一第二多晶硅层，其中该第二多晶硅层由该保留区块的边缘开始，平行于该衬底，横向往内进行结晶，且在该保留区块的中心形成结晶边界。