[发明专利]光罩组及运用光罩组所形成的半导体结构无效
申请号: | 200710000923.7 | 申请日: | 2007-01-08 |
公开(公告)号: | CN101013258A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 游秋山 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种光罩组及运用光罩组所形成的半导体结构,其中该光罩组,包括数次使用于制程中的全域光罩,适用于制造半导体元件。全域光罩包括接触窗结构、内连线结构或两者。为了每一层的使用,全域光罩包括供上下层元件连接的结构。当用于其他层时,在先前位置未能提供连接的结构将在新的层中提供上下层元件中的连接。使用此光罩组制造半导体元件的方法一并在此提供。本发明更提供一电脑程序产品以提供解码指令来形成光罩组和一装置用来接受指令以形成光罩组。 | ||
搜索关键词: | 光罩组 运用 形成 半导体 结构 | ||
【主权项】:
1.一种光罩组,适用于半导体元件的制造,其特征在于包括:复数个可彼此对准的光罩,包括:一第一光罩具有一第一图案;一第二光罩具有一第二图案且可对准并位于该第一光罩之上;一第三光罩具有一第三图案且可对准并位于该第二光罩之上;以及一全域光罩具有全域图案,全域光罩可对准位于该第一光罩与该第二光罩之间和该第二光罩及该第三光罩之间而使该全域图案的第一特征提供在该半导体元件中该第一图案和该第二图案的特征间的连结而不提供该第一图案和该第三图案的特征间的连结以及该全域图案的第二特征提供在该半导体元件中该第二图案和该第三图案的特征间的连结而不提供该第二图案和该第一图案的特征间的连结。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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