[发明专利]一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法

摘要

本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将Ti氧化物和Co氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Co_xTi_1－xO₂材料，然后将Co_xTi_1－xO₂材料压制成片，在含有氢气的气氛下进行退火处理，退火后的Co_xTi_1－xO₂材料具有室温铁磁性。采用本发明制得的室温铁磁性的掺钴氧化钛稀磁半导体材料，可用于脉冲激光沉积以及反应溅射等方法制备室温铁磁性Co_xTi_1－xO₂薄膜时的靶材，具有十分重要的研究价值和广阔的应用前景。

主权项

1、一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法，包括步骤如下：1)将钛氧化物和钴氧化物进行混合，采用固相反应法制备CoxTi1-xO2 材料；2)将CoxTi1-xO2材料压制成片状物体后，在含有氢气的气氛下进行退火处理，完成制备氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料。