[发明专利]可挠性阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200710001231.4 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1996554A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;黄俊杰;林汉涂;蔡佳琪 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可挠性阵列基板的制造方法，首先，提供一具有一第一表面以及一第二表面的可挠性基板。然后，于可挠性基板的第一表面上形成多个沟渠。接着，提供一粘着剂于沟渠中。然后，通过粘着剂接合可挠性基板以及一硬质基板。之后，于可挠性基板的第二表面上进行一成膜工艺。本发明通过可挠性基板的沟渠中的粘着剂将可挠性基板与硬质基板相接合，可以避免粘着剂中气泡的产生。而且在进行切割可挠性基板以形成可挠性区块之后，将可挠性区块轻易地与硬质基板分离而不伤及成膜工艺所制作的元件或结构。此外，切割可挠性基板以形成可挠性区块的同时，位于沟渠内的粘着剂会一并被移除，因此不会有粘着剂残留。可以降低制造成本并提高工艺的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 可挠性 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一可挠性基板，该可挠性基板具有一第一表面以及一第二表面；于该可挠性基板的该第一表面上形成多个沟渠；提供一粘着剂于该沟渠中；通过该粘着剂接合该可挠性基板以及一硬质基板；以及于该可挠性基板的该第二表面上进行一成膜工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
