[发明专利]半导体发光器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710001309.2 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101005193A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 住友弘幸;梶山训;上田诚 | 申请（专利权）人： | 优迪那半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述复合半导体中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面出射，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率。形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出光的发射角控制为期望值；以及形成具有该宽度的所述低折射率区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有这样的结构，在该结构中，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述化合物半导体层中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面射出，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率，其中形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出光的发射角控制为期望值；以及形成具有该宽度的所述低折射率区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优迪那半导体有限公司，未经优迪那半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710001309.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多路油管过渡总成
- 下一篇：举桶器
