[发明专利]电光装置、其制造方法以及电子设备无效
| 申请号： | 200710001367.5 | 申请日： | 2007-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101000442A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 小山登 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的电光装置，使制造过程中的成品率提高，并进行高质量的图像显示。电光装置，具备：布线于基板上的像素区域的多条数据线(6a)及多条扫描线(3a)；在基板上，在像素区域中，在每个像素部与数据线及扫描线电连接所形成，并具有从上层侧实施了氢化处理的半导体层的晶体管(30)；在基板上，在每个像素部电连接于晶体管，与晶体管相比配置于下层侧所形成的存储电容(70)；和在基板上，在每个像素部，与晶体管及存储电容电连接所形成的像素电极(9a)。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种电光装置，其特征在于，具备：基板；布线于该基板上的像素区域的多条数据线及多条扫描线；晶体管，其在前述基板上，在前述像素区域中在每个像素部，与前述数据线及前述扫描线电连接地形成，并具有从上层侧实施了氢化处理的半导体层；存储电容，其在前述基板上，在每个前述像素部，电连接于前述晶体管，与前述晶体管相比配置于下层侧地形成；和像素电极，其在前述基板上，在每个前述像素部，与前述晶体管及前述存储电容电连接地形成。
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