[发明专利]电路图形曝光方法和在其中使用的掩模有效
| 申请号： | 200710001414.6 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1996151A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 小佐信惠;安里直生 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00;H01L21/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电路图形曝光方法，用于向掩模辐射照光以将在所述掩模中形成的掩模图形转移(偏移)到半导体基片上，其中：所述掩模包括以预定节距布置的多个主掩模图形和在最外侧主掩模图形外布置的且不转移至所述半导体基片的辅助掩模图形；所述辅助掩模图形设有与最外侧主掩模图形相邻布置的第一辅助掩模行以及与第一辅助掩模行相邻布置的第二辅助掩模行；并且以比布置所述主掩模图形的节距窄的节距布置所述第一和第二辅助掩模行。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 图形 曝光 方法 其中 使用 | ||
【主权项】：
1.一种电路图形曝光方法，用于向掩模辐射照光以将在所述掩模中形成的掩模图形转移(偏移)到半导体基片上，其中：所述掩模包括以预定节距布置的多个主掩模图形和在最外侧主掩模图形外侧布置的辅助掩模图形，所述辅助掩膜图形不转移至所述半导体基片；以及所述辅助掩模图形由与最外侧主掩模图形相邻布置的第一辅助掩模行，和与该第一辅助掩模行相邻布置的第二辅助掩模行构成，并且以比布置所述主掩模图形布置的节距窄的节距布置所述第一辅助掩模行和第二辅助掩模行。
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