[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710001445.1 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1996617A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 丁炯硕;李钟镐;林夏珍;俞美英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：包括其中形成第一导电沟道的有源区的半导体基底；在所述半导体基底的有源区上形成的栅极；夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层；和沿在所述半导体基底上的有源区和栅极介电层之间的界面形成的电荷产生层，使得在所述界面周围产生固定电荷。
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