[发明专利]编程非易失性存储器的方法及装置有效
| 申请号： | 200710001470.X | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101000802A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 施义德;许哲豪;王懿缔;李学仪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开解决编程干扰效应的各实施例，在受到编程干扰效应的存储单元中，在金属位线上施加强度介于编程电压及接地间的中等电压。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 非易失性存储器 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种编程非易失性存储单元阵列的方法，该方法包含：为了响应编程该阵列的非易失性存储单元的指令，施加电压安排于该阵列的位线，以编程该非易失性存储单元，包含：施加第一位线电压至第一位线，该第一位线电连接至该阵列的非易失性存储单元的第一载流端；施加第二位线电压至第二位线，该第二位线电连接至该非易失性存储单元的第二载流端；其中该第一位线电压的强度大于该第二位线电压的强度；以及施加第三位线电压至第三位线，该第三位线电连接至位于该非易失性存储单元的第二位线端的至少一非易失性存储单元；其中该第三位线电压的强度介于该第一位线电压及该第二位线电压的强度之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710001470.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防止药物转向的陶瓷结构
- 下一篇：黄芩甙锌药物制剂
