[发明专利]形成图案的方法无效
| 申请号： | 200710001495.X | 申请日： | 2007-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101221889A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林思闽 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种形成图案的方法，包括下列步骤。提供一基板，基板包括一待蚀刻层；形成一第一抗蚀剂层于基板上；将第一抗蚀剂层的顶部图案化；形成一第二抗蚀剂层于图案化的第一抗蚀剂层上；移除一部分的第二抗蚀剂层；及蚀刻第二抗蚀剂层、第一抗蚀剂层、及待蚀刻层。使用本发明的方法，可形成微细图案，但是所使用的抗蚀剂层厚度不会太薄，因此，不会产生抗蚀剂层与基板的黏着问题，而且抗蚀剂层不会有不耐蚀刻而不能保护下层结构的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成图案的方法，包括：提供基板，该基板包括待蚀刻层；形成第一抗蚀剂层于该基板上；将该第一抗蚀剂层的顶部图案化；形成第二抗蚀剂层于该图案化的第一抗蚀剂层上；移除一部分的该第二抗蚀剂层；及蚀刻该第二抗蚀剂层、该第一抗蚀剂层、及该待蚀刻层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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