[发明专利]场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200710001504.5 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101000925A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·P·贝尔扬斯基;奥利格·格卢斯切科夫;杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)器件，包括在半导体衬底的有源器件区域上方形成的栅极导体和栅极电介质。在半导体衬底的有源器件区域中形成漏极区域，其在栅极导体的一侧上，在半导体衬底的有源器件区域中形成源极区域，其在栅极导体的相对一侧上。在所述半导体衬底的有源区域中形成电介质晕状物或者栓塞，该电介质晕状物或者栓塞设置在漏极区域和本体区域之间的接触部分中以及在源极区域与本体区域之间的接触部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)器件，包括：在半导体衬底的有源器件区域上方形成的栅极导体和栅极电介质；在所述半导体衬底的所述有源器件区域中形成的漏极区域，其在所述栅极导体的一侧上；在所述半导体衬底的所述有源器件区域中形成的源极区域，其在所述栅极导体的相对一侧上；以及在所述半导体衬底的所述有源区域中形成的电介质晕状物，所述电介质晕状物设置在所述漏极区域和本体区域之间的接触部分中以及在所述源极区域与所述本体区域之间的接触部分中。
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