[发明专利]电光装置、其制造方法以及电子设备有效
| 申请号： | 200710001553.9 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1996604A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 森胁稔 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的电光装置能使存储电容的电容大并提高遮光性能，进行高质量显示。液晶装置在TFT阵列基板(10)上具备：互相交叉地延伸的数据线(6a)及扫描线(3a)；按在TFT阵列基板(10)上平面地看对应于数据线(6a)及扫描线(11a)规定的每个像素配置的像素电极(9a)；和电连接于像素电极(9a)的TFT(30)。具备存储电容(70)，其配置于在TFT阵列基板(10)上平面地看包括对向于TFT(30)的沟道区域(1a’)的区域的区域并与TFT(30)相比配置于上层侧，从下层侧按顺序叠层由多晶硅膜构成的下侧电极(71)、电介质膜(75)及由金属膜构成的上侧电极(300a)并电连接于像素电极(9a)。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上，具备：互相交叉进行延伸的数据线及扫描线；按在前述基板上平面地看对应于前述数据线及扫描线所规定的每个像素所配置的像素电极；电连接于前述像素电极的薄膜晶体管；和存储电容，其配置于下述区域、并且与前述薄膜晶体管相比配置于上层侧，从下层侧按顺序叠层有由多晶硅膜构成的下侧电极、电介质膜及由金属膜构成的上侧电极，并电连接于前述像素电极，上述区域在前述基板上平面地看，包括与前述薄膜晶体管的沟道区域对向的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
