[发明专利]自对准并平坦化的下电极相变化存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种在相变化随机存取存储PCRAM器件中用以将下电极自对准的方法，其中上电极作为此下电极在自对准蚀刻时的掩模。此下电极包括有由化学机械研磨而平坦化的上表面。此上电极还包括有由化学机械研磨而平坦化的上表面。在后续工艺中形成通孔之前，如氮化钛等的下电极形成于衬底上。第一介质层形成于此下电极上，且第二介质层形成于此第一介质层上。通孔形成于延伸经过此第一及第二介质层的选定区域中。

主权项

1.一种存储元件，其包括：衬底主体，其包括有多个接触栓塞，该衬底主体包括有上表面；第一电极构件，其位于该衬底主体的上表面，并包括有下表面接触至该些接触栓塞之一，该第一电极包括有大致平坦的上表面；低传导性填充材料，其位于该第一电极构件上，该低传导性填充材料界定延伸至该第一电极的上表面的孔洞；可编程电阻存储材料，其位于该孔洞中，并与该第一电极的该上表面连接；以及第二电极构件，其包括有上表面以及与该可编程电阻材料接触的电极表面；其中该第一及第二电极构件各自包括有侧边，且其中该第二电极的侧边与该第一电极的侧边对准。