[发明专利]硅结晶掩模、结晶硅的装置及使用其的方法有效

专利信息
申请号: 200710001646.1 申请日: 2007-01-09
公开(公告)号: CN101009219A 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 朴喆镐 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/336;B23K26/06;B23K26/067
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种用于增强硅的电特性的硅结晶掩模、具有该掩模的结晶硅的装置以及使用该装置结晶硅的方法。第一狭缝配置来透射光并沿着第一方向彼此平行布置。第二狭缝配置来透射光,并沿着与第一方向垂直的第二方向分开预定距离,沿着第一方向布置并彼此平行布置。第一狭缝的虚拟中线与第二狭缝的虚拟中线偏离。所以,从激光束照射的区域的中部产生的晶核可得以减少或消除,从而可以增强电特性。
搜索关键词: 结晶 装置 使用 方法
【主权项】:
1、一种硅结晶掩模,包括:配置来透射入射光的多个第一狭缝,其中所述多个第一狭缝沿着第一方向布置并基本上彼此平行,并且其中每个所述第一狭缝的虚拟中线沿垂直于所述第一方向的第二方向将相关的第一狭缝划分为两个基本相等的区域;以及配置来透射入射光的多个第二狭缝,所述多个第二狭缝沿着与所述第一方向垂直的第二方向与所述多个第一狭缝分开预定距离,其中所述多个第二狭缝沿着所述第一方向布置并基本上彼此平行,其中每个所述第二狭缝的虚拟中线沿所述第二方向将相关的第二狭缝划分为两个基本相等的区域,并且其中所述多个第二狭缝设置来使得每个所述多个第二狭缝的中线与所述至少一个相邻的所述第一狭缝的中线偏离。
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