[发明专利]硅结晶掩模、结晶硅的装置及使用其的方法有效
申请号: | 200710001646.1 | 申请日: | 2007-01-09 |
公开(公告)号: | CN101009219A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 朴喆镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/336;B23K26/06;B23K26/067 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种用于增强硅的电特性的硅结晶掩模、具有该掩模的结晶硅的装置以及使用该装置结晶硅的方法。第一狭缝配置来透射光并沿着第一方向彼此平行布置。第二狭缝配置来透射光,并沿着与第一方向垂直的第二方向分开预定距离,沿着第一方向布置并彼此平行布置。第一狭缝的虚拟中线与第二狭缝的虚拟中线偏离。所以,从激光束照射的区域的中部产生的晶核可得以减少或消除,从而可以增强电特性。 | ||
搜索关键词: | 结晶 装置 使用 方法 | ||
【主权项】:
1、一种硅结晶掩模,包括:配置来透射入射光的多个第一狭缝,其中所述多个第一狭缝沿着第一方向布置并基本上彼此平行,并且其中每个所述第一狭缝的虚拟中线沿垂直于所述第一方向的第二方向将相关的第一狭缝划分为两个基本相等的区域;以及配置来透射入射光的多个第二狭缝,所述多个第二狭缝沿着与所述第一方向垂直的第二方向与所述多个第一狭缝分开预定距离,其中所述多个第二狭缝沿着所述第一方向布置并基本上彼此平行,其中每个所述第二狭缝的虚拟中线沿所述第二方向将相关的第二狭缝划分为两个基本相等的区域,并且其中所述多个第二狭缝设置来使得每个所述多个第二狭缝的中线与所述至少一个相邻的所述第一狭缝的中线偏离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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