[发明专利]多位可存储非易失性存储器件无效
| 申请号： | 200710001739.4 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101005095A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 金是垠;白昇宰;霍宗亮;吕寅硕;林昇炫;韩祯希 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多位可 存储 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。
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