[发明专利]微机电系统装置及其梳状电极的形成方法无效
| 申请号： | 200710001784.X | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101088911A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑锡焕;姜锡镇;崔蓥;郑贤九 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B26/10;B81B5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微机电系统(MEMS)装置及形成该MEMS装置的梳状电极的方法。该方法包括：在第一硅衬底的一侧以规则的间隔形成多个平行的沟槽，从而在第一硅衬底的一侧上交替界定高度不同的第一区域和第二区域；氧化第一硅衬底以在高度不同的第一区域和第二区域中形成氧化层；在氧化层上形成多晶硅层以至少填满沟槽从而使具有不同高度的氧化层平化；将第二衬底结合到多晶硅层的顶表面上；使用第一掩模选择性地蚀刻第二硅衬底和多晶硅层，从而形成与第一区域垂直对齐的上梳状电极；使用第二掩模选择性地蚀刻第一硅衬底以形成与第二区域垂直对齐的下梳状电极；以及去除在上梳状电极和下梳状电极之间夹置的氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 装置 及其 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成微机电系统装置的梳状电极的方法，包括：在第一硅衬底的一侧以规则的间隔形成多个平行的沟槽，从而在所述第一硅衬底的一侧上交替界定高度不同的第一区域和第二区域；氧化所述第一硅衬底以在所述高度不同的第一区域和第二区域中形成氧化层；在所述氧化层上形成多晶硅层以至少填满所述沟槽从而使具有不同高度的氧化层平化；将第二衬底直接结合到所述多晶硅层的顶表面上；使用第一掩模选择性地蚀刻所述第二硅衬底和所述多晶硅层，从而形成与所述第一区域垂直对齐的上梳状电极；使用第二掩模选择性地蚀刻所述第一硅衬底以形成与所述第二区域垂直对齐的下梳状电极；以及去除在所述上梳状电极和所述下梳状电极之间夹置的氧化层。
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