[发明专利]可编程电阻随机存取存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200710001811.3 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101000891A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;H01L23/522;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开可编程电阻随机存取存储器单元，其电阻根据其接触点的尺寸而定。低接触电阻的制造方法与集成电路也在本发明中进行了公开，其具有较小尺寸的接触点。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有非易失性存储单元的集成电路的方法，包括：形成多个导电行，以沿着各行访问这些非易失性存储单元；形成介质层于这些导电行之上；形成层间接触点，其穿越该介质层而电连接这些导电行；在自对准工艺中，减少该层间接触点的截面部分；形成非易失性存储单元的可编程电阻元件，以与这些层间接触点形成电连接；以及形成导电列，以沿着各列访问这些非易失性存储单元，而与该可编程电阻元件电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
