[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200710001820.2 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101034703A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 垣内俊雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，p型保护元件(102)及n型保护元件(103)中的漏极区域和保护频带的最小距离比p型内部电路元件(202)及n型内部电路元件(203)中的漏极区域和保护频带的最小距离短。其对应课题如下，在半导体装置高集成化，其动作电压低电压化且低耗电化，并且构成半导体装置的半导体元件的结构细微化且高密度化的情况下，该半导体装置，特别容易产生MOS晶体管的静电破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有保护元件和内部电路，其特征在于：所述保护元件中的保护频带与连接外部端子的杂质扩散区域的最小距离比所述内部电路中的保护频带与连接外部端子的杂质扩散区域的最小距离短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
