[发明专利]应变绝缘体上半导体材料及制造方法有效
| 申请号： | 200710001824.0 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101000884A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 德温德拉·K.·萨达纳;乔尔·P.·德索扎;斯蒂芬·W.·贝戴尔;亚历山大·雷茨尼采克;基思·爱德华·弗格尔;格哈瓦姆·G.·莎赫迪;托马斯·N.·亚当 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了应变(张或压应变)绝缘体上半导体材料，其中使用单个半导体晶片和通过氧的离子注入的分离工艺。包括氧离子注入和退火的通过氧的离子注入的分离工艺在位于应变半导体层下面的材料中建立隐埋氧化物层。在一些实施方案中，渐变半导体缓冲层位于隐埋氧化物层下面，而在其他实施方案中，包含掺杂有B或C中至少一种的Si的掺杂半导体层位于隐埋氧化物层下面。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 绝缘体 半导体材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造应变绝缘体上半导体(sSOI)材料的方法，包括：在渐变半导体缓冲层的表面上形成超出其临界厚度的、亚稳的、张应变半导体材料，所述渐变半导体缓冲层具有比所述张应变半导体材料大的平面内晶格常数；将氧离子至少注入所述张应变半导体材料中，以形成其中包含氧离子富集区的结构；以及将所述结构退火，以将所述氧离子富集区转变成隐埋氧化物区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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