[发明专利]栅控二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 200710001843.3 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101005099A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张立伦;戴维·M.·弗赖德;温·K.·卢克;罗伯特·H.·邓纳德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/108;H01L21/329;H01L21/822;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种面积高效的栅控二极管，包括第一种导电类型的半导体层、在邻近半导体层上表面的半导体层中形成的第二种导电类型的有源区、以及至少一个基本上垂直穿过有源区延伸并且至少部分进入半导体层的沟槽电极。栅控二极管的第一端与沟槽电极电连接，并且至少第二端与有源区电连接。作为在所述第一和第二端之间施加的电压电势的函数，栅控二极管在至少第一种模式和第二种模式之一下操作。第一种模式的特征在于在基本上围绕着沟槽电极的半导体层中产生反转层。栅控二极管在第一种模式中具有第一电容并且在第二种模式中具有第二电容，所述第一电容基本上大于第二电容。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅控二极管结构，其包括：第一种导电类型的半导体层；在邻近半导体层上表面的半导体层中形成的第二种导电类型的有源区；以及至少一个基本上垂直穿过有源区延伸并且至少部分进入半导体层的沟槽电极；与沟槽电极电连接的第一端；并且与有源区电连接的至少第二端；其中作为在所述第一和第二端之间施加的电压电势的函数，栅控二极管在至少第一种模式和第二种模式之一下操作，所述第一种模式的特征在于在基本上围绕着沟槽电极的半导体层中产生反转层，所述栅控二极管在第一种模式中具有第一电容并且在第二种模式中具有第二电容，所述第一电容基本上大于第二电容。
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