[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及液晶显示器用的下基板

摘要

本发明是有关于一种薄膜晶体管的制造方法及液晶显示器用的下基板，所述的制造方法是通过两道掩膜工艺来定义出源极和漏极，而使薄膜晶体管信道长度(L)能够降低至1.5至4.0μm之间。由于薄膜晶体管的信道长度(L)降低，所以I_on电流就可以增加。相对的，信道宽度(W)也可降低，而缩小薄膜晶体管组件面积，进而提高开口率。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是，该制造方法包括以下步骤：(A)提供一基板；(B)在所述的基板上依续形成一图案化第一金属层、一图案化半导体层、以及一第二金属层，该图案化第一金属层包含一栅极；(C)在所述的第二金属层上形成一图案化的第一光阻层，其中部分该第一光阻层位于所述的第一金属层的一侧边的上方；(D)在所述的第二金属层上形成一图案化的第二光阻层，其中，部分该第二光阻层位于所述的第一金属层相对所述的侧边的另一侧边的上方；(E)移除未被所述的第一光阻层与所述的第二光阻层覆盖的第二金属层；以及(F)移除所述的第一光阻层与所述的第二光阻层以曝露出图案化的第二金属层，而形成一源极以及一漏极。