[发明专利]电子照相感光体和使用该感光体的电子照相成像设备无效
申请号: | 200710002007.7 | 申请日: | 2007-01-15 |
公开(公告)号: | CN101021695A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 横田三郎;金承柱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03G5/04 | 分类号: | G03G5/04;G03G5/047;G03G15/02;G03G15/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴;巫肖南 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种包括光敏层的电子照相感光体,所述光敏层含有钛氧基酞菁晶体和具有预定结构的联苯乙烯化合物,所述钛氧基酞菁晶体在可见-红外吸收光谱中在波长780±10nm处具有主吸收峰并且在波长690±10nm处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰。还提供一种使用该电子照相感光体的电子照相成像设备。所述电子照相感光体和电子照相成像设备通过使用新晶型的高光敏性钛氧基酞菁和作为与该钛氧基酞菁相容的电荷传输材料的联苯乙烯化合物的最佳组合而具有良好的光敏性和充电性能以及重复充电后的良好稳定性。 | ||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 使用 成像 设备 | ||
【主权项】:
1、电子照相感光体,包括:导电基质;和在该导电基质上形成的光敏层,其中所述光敏层包括钛氧基酞菁晶体和下式1所示的联苯乙烯化合物,所述钛氧基酞菁晶体在可见-红外吸收光谱中在波长780±10nm处具有主吸收峰并且在波长690±10nm处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰:[式1]其中苯基和亚苯基的至少一个氢原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。
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