[发明专利]沟槽隔离型半导体器件及相关的制造方法无效
| 申请号： | 200710002012.8 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101000910A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尹祺锡;安钟现;卢官钟;李惠庆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/762;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 半导体器件 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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