[发明专利]一种用于辅助电荷存储器阵列的结构

摘要

一个辅助电荷存储器单元，包括一个晶体管，其包括，例如，一个p型衬底以及在p型衬底植入n+源极区域和n+漏极区域。栅极电极被形成在衬底以及部分源极和漏极区域上。该栅极电极包括陷获结构。该陷获结构在电性上被认为被分成两边。一边被当成辅助电荷端，通过陷获电子在该结构中，可以被固定在高电压。该电子被当成是辅助电荷。另一边可以被用来储存数据，是被当成数据端。介于辅助电荷端和数据端之间突变的电场，可以促进编程效率。

主权项

1.一种非易失性存储器阵列，包括多个辅助电荷存储器单元，每一个该多个辅助电荷存储器单元包括：一个辅助电荷端和一个数据端；以及一个突变的电场区域，由该多个辅助电荷存储器单元的每个的辅助电荷端和数据端所形成，该辅助电荷存储器单元被排列成对，其中在一对辅助电荷存储器单元中的辅助电荷端是相邻的。