[发明专利]激光束照射装置以及激光束照射方法有效
| 申请号： | 200710002204.9 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101000863A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/06;G02F1/35;G02B27/09;G02B27/00;G02B3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从激光振荡器发射激光束且将所述激光束经过校正透镜入射于具有凹透镜的光束扩展器光学系统。当如将所述激光振荡器的发射点设定为第一共轭点，将所述第一共轭点的像经过所述校正透镜而成像的点设定为第二共轭点，将从所述校正透镜到所述第二共轭点的距离设定为b，将所述凹透镜的焦距设定为f，以及将从所述校正透镜到所述凹透镜的距离设定为X时，使所述X满足b－3|f|≤X≤b+|f|地配置所述激光振荡器、所述校正透镜以及所述凹透镜。 | ||
| 搜索关键词： | 激光束 照射 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光束照射装置，包括：激光振荡器；将从所述激光振荡器振荡的激光束入射的光束扩展器光学系统；以及配置在所述激光振荡器和所述光束扩展器光学系统之间的校正透镜，其中，所述光束扩展器光学系统包括凹透镜，并且，当将所述激光振荡器的发射点设定为第一共轭点，将所述第一共轭点的像经过所述校正透镜而成像的点设定为第二共轭点，将从所述校正透镜到所述第二共轭点的距离设定为b，将所述凹透镜的焦距设定为f，以及将从所述校正透镜到所述凹透镜的距离设定为X时，所述X满足b-3|f|≤X≤b+|f|。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
