[发明专利]用于使能感应放大器的电路以及具有其的半导体存储器件有效
| 申请号： | 200710002256.6 | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101004945A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 金秀焕;朴哲成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于使能半导体存储器件中的感应放大器的电路，该电路包括：延迟单元，用于在响应于延迟控制信号而延迟感应放大器使能信号之后，输出延迟的感应放大器使能信号作为感应放大器使能延迟信号；以及延迟控制单元，用于通过接收具有温度降低相关特性的基准信号，控制延迟控制信号的强度。当在绝缘体上硅上形成存储单元并且在体硅层上形成感应放大器使能电路时，可以通过调整根据温度降低的感应放大器使能信号的延迟，增加感应时间的长度。此外，可以平滑地调整感应放大器中的使能时间点，并且可以通过减少在感应放大器的感应失效的出现，减小半导体存储器件中的操作失效的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 感应 放大器 电路 以及 具有 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于使能半导体存储器件中的感应放大器的电路，该电路包括：延迟单元，接收感应放大器使能信号，在响应于延迟控制信号而延迟感应放大器使能信号之后，用于输出感应放大器使能延迟信号；以及延迟控制单元，用于通过接收具有温度降低相关特性的基准信号，控制馈送到延迟单元的延迟控制信号的强度。
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