[发明专利]相变存储器件及制造相变存储器件的方法

摘要

形成复合插塞104，第一插塞(TiN)106和第二插塞(W)108都设置在一个接触孔中；第一插塞(TiN)106起加热电极的作用，第二插塞(W)108起接触插塞的作用。这样就不需要将加热电极堆叠在接触插塞上。复合插塞104的第一和第二插塞的电阻率R11和R12的关系是R11＞R12。

主权项

1.一种相变存储器件，其中电流流过由导体层、与所述导体层相连的第一接触插塞、与所述接触插塞相连的加热电极和与所述加热电极相连的相变层构成的电流通路，在所述相变层和所述加热电极之间的界面产生焦耳热而改变所述相变层的相态，从而写入信息，其中所述相变存储器件包括：第一层间绝缘膜，其中形成有第一接触孔；和填埋在所述第一接触孔中的复合插塞，所述复合插塞由第一插塞和第二插塞组成，第一插塞由第一导电材料构成并起加热电极的作用，第二插塞由电阻率低于第一导电材料的第二导电材料构成并起第一接触插塞的作用。