[发明专利]制造半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200710002383.6 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101005043A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 肖姆·波诺斯;约翰·安东尼·菲茨西蒙斯;史蒂文·夏伊格－聪;特里·A.·斯普纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体结构的方法，其中该方法包括在半导体层上形成层间介电层(ILD)，在ILD上形成导电的镀敷增强层(PEL)，图形化ILD和PEL，将籽层沉积到由ILD和PEL形成的图形中，之后在籽层上镀敷铜。PEL用于降低横跨晶片的电阻，以利于镀敷铜。PEL优选是光学透明和导电的层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：获得半导体晶片；在半导体层上形成层间介电层；在层间介电层上形成导电的镀敷增强层；图形化层间介电层和镀敷增强层；将籽层沉积到由层间介电层和镀敷增强层形成的图形中；和在籽层上镀敷铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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