[发明专利]透视型非晶硅光伏玻璃窗无效
申请号: | 200710002567.2 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN101236998A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 李沅民;马昕 | 申请(专利权)人: | 北京行者多媒体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种特殊的适合光伏建筑一体化应用的薄膜光伏模块。透视型非晶硅(a-Si)光伏模块是由透明电极和部分透明的非晶硅半导体薄膜层构成的,非常适用于光伏玻璃窗。非晶硅透视型光伏模块且具备双面光感的特性。 | ||
搜索关键词: | 透视 型非晶硅光伏 玻璃窗 | ||
【主权项】:
1. 一个透视型光伏模块,该光伏模块由薄膜硅制成,薄膜硅包含非晶硅和纳米晶硅,其p-i-n型结构的i层厚度不大于350纳米,模块的大部分区域可见光透视度大于1%。其特征在于:所述的透视型光伏模块包含如下几个组成部分:a)一个玻璃基板;b)一个前电接触层,该接触层由透明导电氧化物制成,置于所述的玻璃基板之上;c)一个p层,该p层由硼掺杂、宽带隙、光能带隙不小于2.0电子伏的非晶硅合金制成,该合金包括非晶硅碳和非晶硅氧合金。p层厚度不大于12纳米,置于所述的前电接触层之上;d)一个本征i层,该本征i层由非掺杂的氢化薄膜硅或其含有非晶硅和纳米晶硅的合金构成,其厚度不大于300纳米,沉积于所述p层之上;e)一个n层,该n层由磷掺杂的薄膜硅或其合金制成,包括非晶硅,非晶硅氧合金,非晶硅碳合金和纳米晶硅及其合金。该n层厚度不大于25纳米,沉积于所述本征i层之上;f)一个透明背电极,该背电极包含一个由铝掺杂的氧化锌制成的透明导电氧化物薄膜,该薄膜厚度不小于200纳米。该背电极置于所述的n层之上。g)一个粘合层,其透光度不小于80%,并有密封能力,该粘合层被牢固地粘合在所述的透明背电极之上;h)一个保护层,该保护层由玻璃板或其它透明材料制成,被安全地粘合在所述的粘合层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京行者多媒体科技有限公司,未经北京行者多媒体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710002567.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种火麻饮料及其生产方法
- 下一篇:一种浓缩多效水基型杀虫剂的制作和使用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的