[发明专利]微晶硅薄膜的形成方法无效
| 申请号： | 200710002570.4 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101237005A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/20;H01L31/0368;H01L31/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作氢化微晶硅薄膜的方法。首先在基板上形成一个含有晶核的氢化硅引晶层，然后快速的用等离子体化学气相沉积法形成一个厚度不超过3微米的氢化非晶硅薄膜。随后将该材料置于一个不小于500个大气压的高压氢气环境中，在不高于300℃的温度下，维持3－10小时，从而得到适合于用做光电转换的氢化微晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一个氢化微晶硅薄膜，该薄膜厚度不超过3微米，其平均粒径不小于0.5微米，其特征在于：它的形成过程是，在温度不低于200℃的基板上，使用等离子体化学气相沉积法，首先形成一个含有晶核的氢化硅引晶层，然后快速的在该层上形成一个厚度不超过3微米的氢化非晶硅薄膜。随后将该材料置于一个不小于500个大气压的高压氢气环境中，在不高于300℃的温度下，维持3-10小时，从而得到适合于用做光电转换的氢化微晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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