[发明专利]使用三个电极的蚀刻所导致的薄膜沉积方法

摘要

本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是介绍一种使用三个电极的蚀刻所导致的薄膜沉积的技术手段。本发明是对蚀刻导致的薄膜沉积方法进行的一个改造。我们使用三个平行的电极，其中所加入的中间电极是带孔或网状的电极。这个做法的优点除了可以达到非常大面积的镀膜均匀性之外，同时使得所镀膜的性能可以得到调整，其具体做法就是在中部电极与基板之间施加不同直流电压，而改变所穿过离子的能量及浓度，从而改变或改善所生长薄膜的性能，薄膜沉积的速率也可得到极大提高。此方法实用性强，经济效益和社会效益都十分明显。

主权项

1. 一个由蚀刻所导致薄膜沉积的方法，其特征在于：使用一个具有三个平行电极的直流等离子体增强化学气相沉积系统(DC PECVD)，其三个电极分别为负电极、正电极和第三电极，使用该系统镀膜的方法由下列的步骤构成：a)在负电极上形成在后面衬底上镀膜时所需要的材料；b)在前面所述第三个电极上放上一个基板，它可以与该电极具有相同的电势；c)在所述PECVD系统中，注入蚀刻性成分的气体，但不包括所需镀膜的原材料；d)在所述负电极和中电极之间，通过向负电极提供直流电力的方法，形成一个直流辉光放电过程，从而使得阴极上的材料被蚀刻剥离，然后透过中电极而达到放在第三电极上的基板上，并形成薄膜；e)所形成薄膜的性质可以通过调节基板的电势而得到改变。