[发明专利]脉冲式等离子体镀膜方法

摘要

本发明公开了氢化硅薄膜的沉积方法。在低温的等离子体增强化学气相沉积过程中，以脉冲的形式周期性的向负电极提供射频或极高频电能，脉冲的频率范围为300Hz－50kHz，且每周期内脉冲的宽度不大于半个周期。这种方法可以使高质量的氢化硅薄膜以高速率沉积，同时避免颗粒和粉末在等离子体中形成。

主权项

1. 一个PECVD镀膜方法，它被用于基于氢化硅的半导体薄膜的制成，在制成过程中使用包括氢气和硅烷的源气体混合物，真空室内的气压维持在0.5-30mbar之间，将基板置于两个平行板状电极中的正电极面向负电极的表面，且基板的温度保持在140-230℃之间。其特征在于：向负电极提供的射频或极高频的用于激发等离子体的电能，被周期性的调节，使其具有脉冲形式，且脉冲的宽度不大于半周期，而调节频率介于300Hz-50kHz之间。在没有颗粒和粉末形成的条件下，以高于18纳米/分钟的速率获得优质的氢化硅及相关的材料。