[发明专利]加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造无效
| 申请号： | 200710002643.X | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101231992A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 沈弘哲;沈更新 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，主要包含一基板、一具有复数个凸块的晶片以及一密封这些凸块的封胶体。该基板是具有一可挠性介电层、复数个引脚以及至少一虚引脚，该可挠性介电层是具有一晶片接合区，这些引脚与该虚引脚是贴附于该可挠性介电层并延伸至该晶片接合区内且该虚引脚是位于该晶片接合区的角隅。借由该虚引脚可达到增强角落引脚的接合度及避免引脚受到应力而断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 加强 角落 引脚 接合 强度 薄膜 半导体 封装 构造 | ||
【主权项】：
1.一种加强角落引脚接合强度的薄膜式半导体封装构造，其特征在于其包含：一基板，其是具有一可挠性介电层、复数个引脚以及至少一虚引脚，该可挠性介电层是具有一晶片接合区，这些引脚与该虚引脚是贴附于该可挠性介电层并延伸至该晶片接合区内且该虚引脚是位于该晶片接合区的角隅；一晶片，其是具有复数个凸块，其是接合于这些引脚及这些虚引脚；以及一封胶体，其是形成于该晶片接合区，以密封这些凸块。
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