[发明专利]双栅极非挥发性储存单元、阵列及制造方法与操作方法有效
| 申请号： | 200710002846.9 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101022134A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;吕函庭;施彦豪;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种储存单元及包括多个此等储存单元的阵列，以及此等储存单元的制造方法及此等储存单元的操作方法，其中储存单元包括半导体基底，其具有被通道区域分离的源极区与漏极区；第一栅极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近源极区；以及第二栅极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近漏极区，其中第一栅极与第二栅极被第一纳米空间分离。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 挥发性 储存 单元 阵列 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种储存单元，其特征在于，包括：一半导体基底，其具有被一通道区域分离的一源极区与一漏极区；一电荷捕捉结构，其设置于所述半导体基底的所述通道区域上方；一第一栅极，其设置于所述电荷捕捉结构上方并邻近所述源极区；以及一第二栅极，其设置于所述电荷捕捉结构上方并邻近所述漏极区；其中所述第一栅极与所述第二栅极被一第一纳米空间分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710002846.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自适应延迟基损耗均衡
- 下一篇：键盘乐器
- 同类专利
- 专利分类
