[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 200710002884.4 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101079425A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 谢友岚;黄庆坤;许正东 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置，包括一第一存储单元区域，其具有一第一栓锁区域，该第一栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第一周边区域，其环绕着该第一栓锁区域，以及一第二存储单元区域，其设置于该第一存储单元区域的一第一边缘的邻近区域并且具有一第二栓锁区域，该第二栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第二周边区域，其环绕着该第二栓锁区域。该第一存储单元区域的其中一边缘是移离该第二存储单元区域与其相对应的边缘。因此，该存储装置的面积及良率是可调整。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于，该存储装置包括：一第一存储单元区域，具有一第一栓锁区域，该第一栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第一周边区域，其环绕着该第一栓锁区域；以及一第二存储单元区域，其设置于该第一存储单元区域的一第一边缘的相邻区域并且具有一第二栓锁区域，该第二栓锁区域上是建立着一个以上的电子元件以储存一数值，以及一第二周边区域，其环绕着该第二栓锁区域，其中该第一存储单元区域的其中一边缘是移离该第二存储单元区域与其相对应的边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
