[发明专利]硅片生产中的载片器和载片器上的挂钩有效
申请号: | 200710002941.9 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN101012549A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 刘卓 | 申请(专利权)人: | 刘卓 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100032北京市西城区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种硅片生产中使用的载片器,在载片器的两侧有导轨,在导轨上设置紧贴导轨的高出载片器的防断头部件。其中,可以实现方式可以为在导轨上设置竖起的卡子,防断头部件远离导轨处有凹进去的部分,所述防断头部件紧贴导轨时其凹处与卡子相吻合。并且,载片器上的挂钩的末端可以为以下之一的形状:线状、一点、锯齿状、波浪状。使用本发明,可增加载片器框架的强度和抗折度,由于防断头部件可拆卸,该部件磨损后仅更换该部件,避免全部更换载片器,降低成本。且载片器的挂钩与硅片接触面达到尽量小,使镀层更有利到达、沉积在硅片上,使镀膜均匀。 | ||
搜索关键词: | 硅片 生产 中的 载片器 载片器上 挂钩 | ||
【主权项】:
1.一种硅片生产中的载片器,在载片器的两侧有导轨,其特征在于,在导轨上设置紧贴导轨的高出载片器的防断头部件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的