[发明专利]锁存电路以及具有锁存电路的半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 200710003104.8 | 申请日： | 2007-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101013888A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 福冈耕平 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/0944;H01L21/00;H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周艳玲;宋志强 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路，包括：由驱动反相器和反馈反相器以环状方式连接而构成的锁存电路，其中驱动反相器和反馈反相器中的至少一个包括MOS晶体管；以及与锁存单元的至少一个锁存节点相连的电流源。根据锁存在锁存节点中的数据值中存在或不存在反相来判断流入所述MOS晶体管的电流与流入所述电流源的电流的幅度关系。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 以及 具有 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1、一种锁存电路，包括：锁存单元，其中驱动反相器和反馈反相器以环状方式相连接，该驱动反相器和反馈反相器中的至少一个包括MOS晶体管；以及电流源，其与所述锁存单元的至少一个锁存节点相连接，其中根据锁存在所述锁存节点中的数据值中存在或不存在反相来判断流入所述MOS晶体管的电流与流入所述电流源的电流的幅度关系。
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