[发明专利]白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法无效
| 申请号： | 200710003262.3 | 申请日： | 2007-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101017870A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请（专利权）人： | 罗维鸿 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C09K11/80 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200231上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明系关于一种白光半导体光源，其包括铟镓氮化物基础上的异质结，含有无机荧光粉的聚合物涂层，聚合物层位于球面镜盖与该聚合物涂层之间，其特征在于：该无机荧光粉的总公式为La3Ga5SiO14，可被铈激发，该荧光粉具有镧镓硅酸盐结晶构造，且该镧镓硅酸盐被该异质结的最初辐射激发可发出绿－黄－红光，并与该异质结的部分最初辐射混合形成整体白光。此外，本发明还提供一种镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法，所制作的镧镓硅酸盐基质荧光粉具有色度稳定度、热稳定度及亮度稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 半导体 光源 硅酸盐 基质 荧光粉 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种白光半导体光源，其包括铟镓氮化物基础上的异质结，含有无机荧光粉的聚合物涂层，聚合物层位于球面镜盖与该聚合物涂层之间，其特征在于：该无机荧光粉的总公式为La3Ga5SiO14，可被铈激发，该荧光粉具有镧镓硅酸盐结晶构造，且该镧镓硅酸盐被该异质结的最初辐射激发可发出绿-黄-红光，并与该异质结的部分最初辐射混合形成整体白光。
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