[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 200710003724.1 | 申请日: | 2007-01-08 |
公开(公告)号: | CN101222008A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 余国辉;薛永鑫;郭政达;杨于铮 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管(LED)及其制造方法。发光二极管至少包括一基板、一反射结构、一缓冲层以及一发光磊晶结构。反射结构设于基板的一表面上,其中反射结构中设有多个开口,而将反射结构形成为具有规则图形的结构,并暴露出基板的表面的一部分。缓冲层设于反射结构与基板的表面的暴露部分上,并填满这些开口。发光磊晶结构则设于缓冲层上。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,至少包括:一基板;一反射结构,设于该基板的一表面上,其中该反射结构中设有多个开口,而将该反射结构形成为具有规则图形的结构,并暴露出该基板的该表面的一部分;一缓冲层,设于该反射结构与该基板的该表面的该暴露部分上,并填满这些开口;以及一发光磊晶结构,设于该缓冲层上。
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