[发明专利]发光二极管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710003724.1 申请日: 2007-01-08
公开(公告)号: CN101222008A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 余国辉;薛永鑫;郭政达;杨于铮 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管(LED)及其制造方法。发光二极管至少包括一基板、一反射结构、一缓冲层以及一发光磊晶结构。反射结构设于基板的一表面上,其中反射结构中设有多个开口,而将反射结构形成为具有规则图形的结构,并暴露出基板的表面的一部分。缓冲层设于反射结构与基板的表面的暴露部分上,并填满这些开口。发光磊晶结构则设于缓冲层上。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管,至少包括:一基板;一反射结构,设于该基板的一表面上,其中该反射结构中设有多个开口,而将该反射结构形成为具有规则图形的结构,并暴露出该基板的该表面的一部分;一缓冲层,设于该反射结构与该基板的该表面的该暴露部分上,并填满这些开口;以及一发光磊晶结构,设于该缓冲层上。
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