[发明专利]用于快闪存储器件的编程方法有效
| 申请号： | 200710003748.7 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101009138A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜相求;林瀛湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇;蒲迈文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于快闪存储器件的编程方法，所述快闪存储器件包括与用于存储指示多个状态中的一个的多位数据的多个存储单元连接的第一和第二位线。该编程方法可以包括：用多位数据将与所选行和第二位线连接的存储单元编程；确定所选行是否是最后行；以及当确定结果为所选行是最后行时，将与作为最后行的所选行和第一位线连接的已编程的存储单元重新编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 器件 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于快闪存储器件的编程方法，所述快闪存储器件包括与适于存储用于指示多个状态中的一个状态的多位数据的多个存储单元连接的第一和第二位线，该编程方法包括：(a)用多位数据对与所选行和所述第二位线连接的存储单元编程；(b)确定所选行是否是最后行；以及(c)当所选行是最后行时，将与所述最后行和所述第一位线连接的已编程的存储单元重新编程，其中，所述重新编程使得其中由于高温应力HTS而导致与所述存储单元相关的阈值电压降低的所述多个状态的相邻状态之间的读取裕量增加。
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