[发明专利]在基材表面上以气相沉积制备硅层的方法无效
| 申请号： | 200710003765.0 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101008079A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | R·桑南舍恩;H·劳勒德;H·J·霍恩;S·勒伯;N·施林杰 | 申请（专利权）人： | 德古萨公司;弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/448;C23C16/52;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 德国杜*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种从基于硅的前体开始以气相沉积在基材表面上制备硅层的方法，其特征在于，使用四氯化硅作为前体。此外，本发明还涉及应用本发明方法制得的薄层太阳能电池或结晶硅薄层太阳能电池。本发明还涉及四氯化硅在制备基材上的经气相沉积的层中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 表面上 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从基于硅的前体开始通过气相沉积在基材表面上制备硅层的方法，其特征在于，使用四氯化硅作为前体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
