[发明专利]半导体器件图案的形成方法

摘要

本发明提供了一种形成半导体器件图案的方法，包括在半导体衬底上形成硬掩模层，并在硬掩模层上形成光致抗蚀剂膜图案。光致抗蚀剂膜图案的外部被转化为具有第一垂直壁、第二垂直壁和水平壁的氧化物层，其中光致抗蚀剂膜图案的内部则被包围在转变的氧化物层内。至少一部分水平壁被去除以暴露保留在转化的氧化物层内的光致抗蚀剂膜图案，从而形成分别相应于氧化物层的第一和第二垂直壁的第一和第二氧化物图案。利用第一和第二氧化物图案作为蚀刻掩模构图硬掩模层。利用构图的硬掩模层蚀刻半导体衬底。

主权项

1.一种半导体器件图案形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成光致抗蚀剂膜图案；将光致抗蚀剂膜图案的外部转化为具有第一垂直壁、第二垂直壁和水平壁的氧化物层，其中光致抗蚀剂膜图案的内部包围在转化的氧化物层内；去除至少一部分水平壁，以暴露保留在转化的氧化物层内的光致抗蚀剂膜图案；去除暴露的光致抗蚀剂膜图案，形成分别对应于氧化物层的第一和第二垂直壁的第一和第二氧化物图案；利用第一和第二氧化物案作为蚀刻掩模构图所述硬掩模层，并且利用构图的硬掩模层蚀刻半导体衬底。