[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710003918.1 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101005045A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 辛和淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L27/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有不同类型电容器的半导体器件的制造方法，以及使用该方法形成的半导体器件。在制造工艺中，在制备包括存储电容器区和高电压电阻电容器区的衬底之后，在存储电容器区和高电压电阻电容器区上可以形成下电极层。第一介电膜可以形成于下电极层上，并且可以选择性地去除存储电容器区的第一介电膜从而暴露存储电容器区的下电极层。在第一介电膜和被暴露的存储电容器区的下电极层上形成第二介电膜之后，可以在第二介电膜上形成上电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：制备包括存储电容器区和高电压电阻电容器区的衬底；在所述存储电容器区和所述高电压电阻电容器区上形成下电极层；在所述下电极层上形成第一介电膜；选择性地去除所述存储电容器区的第一介电膜从而暴露所述存储电容器区的下电极层；在所述第一介电膜和被暴露的存储电容器区的下电极层上形成第二介电膜；和在所述第二介电膜上形成上电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
