[发明专利]微光学装置制造方法有效
申请号: | 200710003929.X | 申请日: | 2004-09-30 |
公开(公告)号: | CN101004478A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 加藤嘉睦;吉田惠;森惠一;近藤健治;滨田义彦;伊卷理 | 申请(专利权)人: | 日本航空电子工业株式会社 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08;G02B6/35;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及微光学装置制造方法。该装置包括复杂结构和可移动反射镜,可在更短的时间内制造出该微光学装置。硅基底和单晶硅装置层以及置于其间的氧化硅中间层构成基底,其上掩模材料层得以形成且被构图,从而形成与如平面图所示的预期光学装置的结构具有相同图案的掩模。将构造为反射镜表面的表面选择为硅晶体的面。利用掩模,通过反应离子干刻蚀,垂直刻蚀装置层,直到露出中间层为止。随后利用KOH溶液在约十分钟的时间段内以大约0.1μm/min的刻蚀速率,执行对于晶向是各向异性的湿刻蚀,从而将反射镜4的侧壁表面转变为光滑的晶体学表面。随后,选择性地湿刻蚀中间层,从而仅在位于光学装置的可移动部件下面的区域中除去中间层。 | ||
搜索关键词: | 微光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造微光学装置的方法,该微光学装置在单晶硅基底上包括反射镜,该方法包括以下步骤提供绝缘体上硅基底,其包括第一和第二单晶硅层、以及置于该单晶硅层中间的中间绝缘层,并且在该第一层的上表面形成掩模层;通过光刻法将掩模层构图,从而形成具有图案的掩模,该图案确定与该基底的该板面垂直的侧壁表面,其中反射镜形成表面与由该第一单晶硅层形成的基底的板面垂直并且与(100)面或(111)面对准;利用各向异性气体反应干刻蚀除去未被该掩模所覆盖的该第一单晶硅层,直到该中间绝缘层暴露出为止;利用对于硅表现出各向异性的湿刻蚀,对该第一单晶硅层的通过该干刻蚀而暴露出的与(100)面或(111)面对准的侧壁表面进行平滑处理;以及用金属对与(100)面或(111)面对准的光滑表面中将成为反射镜表面的一个表面进行涂覆从而形成反射镜体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本航空电子工业株式会社,未经日本航空电子工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710003929.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。