[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710004052.6 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101009329A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 荒木纪明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有在衬底上彼此分离地形成的元件。每一个元件都包括作为源极和漏极的第一和第二区域；以埋入的栅结构形成栅极，并且所述栅极的一部分位于所述第一和第二区域之间。所述栅极的宽度比所述第一和第二区域的栅宽要宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有源极和漏极的半导体器件，所述器件包括：分别作为所述源极和所述漏极的第一和第二区域；以及按照具有埋入的栅结构的方式而形成的栅极，所述栅极的一部分位于所述第一和第二区域之间，其中所述栅极的宽度比所述第一和第二区域的栅宽要宽。
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