[发明专利]包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法有效
申请号: | 200710004056.4 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN101154463A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 边大锡;林瀛湖 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种半导体存储器件,所述器件包括第一泵时钟产生器,配置用于基于第一电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵,配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器,配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵,配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括第三泵时钟产生器,配置用于基于第一电源电压产生第三泵时钟信号。所述器件还包括第三电荷泵,配置用于响应于第三泵时钟信号产生第三泵输出电压。 | ||
搜索关键词: | 包括 电压 产生 电路 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一泵时钟产生器,被配置成基于第一电源电压产生第一泵时钟信号;第一电荷泵,被配置成响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压;第二泵时钟产生器,被配置成基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号;第二电荷泵,被配置成响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压;第三泵时钟产生器,被配置成基于第一电源电压产生第三泵时钟信号;以及第三电荷泵,被配置成响应于第三泵时钟信号产生第三泵输出电压。
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