[发明专利]压电电阻元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710004284.1 | 申请日： | 2007-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101038864A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 池上尚克 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/822;H01L29/84;H01L27/04;G01P15/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供压电电阻元件及其制造方法。第一课题在于提供受外部电场的影响(表面电场效应)引起的电阻值的变动小的压电电阻元件及其制造方法。并且，第二课题在于提供击穿耐压高且漏电流小的压电电阻元件及其制造方法。制造压电电阻元件的方法的特征在于，该方法包括：在半导体衬底上形成槽的工序；在槽内部形成与半导体衬底不同的导电类型的电阻层的工序；在电阻层的上部形成与半导体衬底相同的导电类型的硅层的工序。本发明的第二方式的压电电阻元件的特征在于，具有：一对接触区域，其形成在半导体衬底内；电阻层，其是与半导体衬底不同的导电类型，形成于在半导体衬底的一对接触区域之间形成的槽的内部；硅层，其是与半导体衬底相同的导电类型，形成在电阻层上。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 电阻 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造压电电阻元件的方法，其特征在于，该制造压电电阻元件的方法包括：在半导体衬底上形成槽的工序；在所述的槽内部形成与所述半导体衬底不同的导电类型的电阻层的工序；以及在所述电阻层的上部形成与所述半导体衬底相同的导电类型的硅层的工序。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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