[发明专利]半导体器件制造方法和抛光装置无效
| 申请号： | 200710004333.1 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101009240A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 小寺雅子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜，当在所述衬底表面和所述开口内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜，以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，在暴露所述含铜膜和所述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 抛光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜；当在所述衬底的表面和所述开口的内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜；以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，而在暴露所述含铜膜和所述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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