[发明专利]半导体元件稳压测试方法及稳压测试治具无效
申请号: | 200710004350.5 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN101231964A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 陈俊升 | 申请(专利权)人: | 竑腾科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/677;H01L21/683;G01R31/26;G01R1/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陶海萍 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体元件稳压测试方法及稳压测试治具。测试方法主要于下压头负压吸起待测半导体元件移至测试治具定位后,利用下压头同时对待测半导体元件内外围施以正压气体压力及机械压力,使待测半导体元件平稳而不翘曲地与测试治具的探针接触导通,再由测试系统进行功能性检测,稳压测试治具则利用基座中装设一由缓冲弹簧顶持的下承座,且令设于下承座中的复数探针顶部的触接端不凸伸至下承座的定位槽中。通过本发明,借以在待测半导体元件连同下承座受压下降时,所述这些探针才凸伸与待测半导体元件底面接点接触导通,使半导体元件在测试过程中不易损坏。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 稳压 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件稳压测试方法,其特征在于,所述半导体元件稳压测试方法包含如下步骤:利用下压头以负压吸附手段吸起待测半导体元件移至测试治具中预定处定位,再停止负压吸附作用;利用下压头以机械施压手段对待测半导体元件外围部位施以一机械压力;利用下压头内部以正压供气手段对所述待测半导体元件内围部位施以正压气体压力,与所述机械施压手段同步进行,所述正压供气手段所使用的气体压力小于机械压力,使所述待测半导体元件平贴于测试治具的测试工作面,使所述待测半导体元件底面的复数接点分别与所述测试工作面中相对应的探针接触;由测试系统通过测试治具中的复数探针对所述待测半导体元件进行功能性检测,判断所述半导体元件的功能是否正确;以及停止机械施压及正压供气,并改以负压抽气手段吸取检测后半导体元件移至预定位置处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于竑腾科技股份有限公司,未经竑腾科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710004350.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蕨菜多糖的提取分离方法
- 下一篇:人性化短信群发的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造