[发明专利]用于减少浸入式光刻中的污染物的装置和方法无效
| 申请号： | 200710004363.2 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101008790A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | D·施奈德;黎家辉;R·J·贝扎马;D·L·戈德法布 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在浸入式光刻中减少污染物的装置，包括具有卡盘晶片的晶片卡盘组件，该卡盘晶片配置为在其支撑表面上保持半导体晶片。在晶片卡盘中具有缝隙，该缝隙与晶片的外边缘相邻，并且该缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体。在晶片卡盘中配置液体循环路径，以便促进在缝隙中的浸入式光刻液体的向外辐射运动，从而相对于半导体晶片的上表面，将浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 浸入 光刻 中的 污染物 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于减少浸入式光刻中的污染物的装置，包括：晶片卡盘组件，包括配置为在其支撑表面上保持半导体晶片的晶片卡盘；所述晶片卡盘中具有的缝隙，所述缝隙与所述晶片的外边缘相邻，并且所述缝隙中包含一定量的浸入式光刻液体；以及液体循环路径，配置在所述晶片卡盘中，以便促进在所述缝隙中的所述浸入式光刻液体的向外辐射运动，从而相对于所述半导体晶片的上表面，将所述浸入式光刻液体的弯月面保持在选定高度。
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